通过负光刻胶定义的图形与所需要制备的图形相反。

在CMOS工艺中，通常采用对光刻胶曝光显影来实现所设计结构的图案制备（） 在深紫外曝光中，需要使用CA光刻胶，CA的含义是（）。 光刻胶主要由（）等不同材料混合而成的。 有关光刻胶的显影下列说法错误的是（）。 在深紫外曝光中，需要使用CA光刻胶，它的优点在于（）。 解释光刻胶选择比。要求的比例是高还是低？ 在硅片制造中光刻胶的两种目的是什么？ 典型的DUV光刻胶曝光剂量的宽容度是多少？ 用g线和i线进行曝光时通常使用哪种光刻胶（）。 若两个图形是拓扑等价的，则一个图形可通过做弹性运动与另一个图形相重合。() 稠油井示功图图形肥胖，它与油井的示功图图形相似（） 抽油井示功图图形肥胖，它与油井的示功图图形相似（） 矢量图形和位图图形相比,哪一项是矢量图形的优点? 矢量图形和位图图形相比，哪一项是矢量图形的优点（） 光刻中影响甩胶后光刻胶膜厚的因素有（）、（）、（）、（）。 平移不改变图形的形状和大小，只改变图形的位置，平移后新旧图形相等。（）   下列与斑点型ANA荧光图形相关的自身抗体是（） 比例是指实物与图中图形相应要素的线性尺寸之比 图样的比例，应为实物与图形相对应的线性尺寸之比。（） 图样的比例，应为实物与图形相对应的线性尺寸之比（）