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光刻胶主要由()等不同材料混合而成的。
多选题
光刻胶主要由()等不同材料混合而成的。
A. 树脂
B. 感光剂
C. HMDS
D. 溶剂
E. PMMA
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多选题
光刻胶主要由()等不同材料混合而成的。
A.树脂 B.感光剂 C.HMDS D.溶剂 E.PMMA
答案
主观题
解释光刻胶显影。光刻胶显影的目的是什么?
答案
主观题
例举出两种光刻胶显影方法。例举出7种光刻胶显影参数。
答案
判断题
如果光刻胶在曝光前可溶于某种溶液而经过曝光后不可溶,则这种光刻胶为正胶。
A.对 B.错
答案
主观题
最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是哪种胶?
答案
多选题
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A.红外线辐射 B.X射线照射 C.加热 D.紫外光辐射 E.电子束扫描
答案
单选题
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A.DQN B.CA C.ARC D.PMMA
答案
多选题
有关光刻胶的显影下列说法错误的是()。
A.负胶受显影液的影响比较小 B.正胶受显影液的影响比较小 C.正胶的曝光区将会膨胀变形 D.使用负胶可以得到更高的分辨率 E.负胶的曝光区将会膨胀变形
答案
主观题
解释正性光刻和负性光刻的区别?为什么正胶是普遍使用的光刻胶?最常用的正胶是指哪些胶?
答案
主观题
解释光刻胶选择比。要求的比例是高还是低?
答案
热门试题
负性和正性光刻胶有什么区别和特点?
在硅片制造中光刻胶的两种目的是什么?
典型的DUV光刻胶曝光剂量的宽容度是多少?
用g线和i线进行曝光时通常使用哪种光刻胶()。
在深紫外曝光中,需要使用CA光刻胶,CA的含义是()。
通过负光刻胶定义的图形与所需要制备的图形相反。
在深紫外曝光中,需要使用CA光刻胶,它的优点在于()。
光刻中影响甩胶后光刻胶膜厚的因素有()、()、()、()。
在CMOS工艺中,通常采用对光刻胶曝光显影来实现所设计结构的图案制备()
利用正光刻胶曝光、显影、蚀刻的过程中,掩膜版上透光图案对应的基底部位将被蚀刻掉。
利用正光刻胶曝光、显影、蚀刻的过程中,掩膜版上透光图案对应的基底部位将被蚀刻掉()
水泥主要由()、()及混合材粉磨而成。
美元纸张成份较为特殊,主要由( )混合而成。
美国纸张成份较为特殊,主要由混合而成()
美元纸张成分较为特殊,主要由混合而成()
沥青混合料是一种复合材料,主要由()等组成。
印刷油墨主要由()、()、()和()按照一定的比例相混合而成
()由胶凝材料、细骨料和水等材料按适当比例配制而成
下列关于混合物的描述错误的是: 三氧化铬的硫酸溶液与有机物混合,可能爆炸|液态空气或者液态氧与有机物质混合可能爆炸|硝酸、硫酸等氧化剂与丙酮、乙醇、光刻胶、清洁棉、纸等混合可能会引起燃烧|硝酸氨与活性炭混合可能燃烧|硝酸盐与脂混合可能爆炸|高氯酸与盐酸混合可能爆炸
中国大学MOOC: 在集成电路制造过程的图形制备的最后一道工序是光刻胶去除,这一过程叫去胶,常用的去胶方法有()。
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