IGBT的开关速度要高于电力MOSFET（）

房价上涨速度一般要高于通胀速度（） GTO、GTR、MOSFET、IGBT分别表示 .（按顺序填写并用、隔开） IGBT中由于有双极型晶体管存在，带来了电导调制效应使IGBT导通电阻变小，但也引入了少数载流子储存现象，使IGBT开关速度低于电力MOS管（） IGBT是将MOSFET与GTR的优点集于一身（） 常用半导体功率开关器件中，开关速度最快的是MOSFET，最慢的是开关晶体管 。 IGBT器件是一种复合器件，它兼有功率MOSFET和双极型器件的开关速度快、安全工作区宽、驱动功率小、耐压高、载流能力大等优点（） IGBT 相比MOSFET，其通态电阻较大，因而导通损耗也较大。 IGBT是MOSFET和GTR复合的产物，具有GTR的异通特性和MOSFET的驱动特性，下列哪项属于它的特性（） IGBT实际是以GTR为主导，以MOSFET为驱动元件的复合管 绝缘栅双极晶体管IGBT将MOSFET和（）的优点集于一身。 IGBT的通态压降比MOSFET，特别是在电流较大的区域（） 绝缘栅双极型晶体管IGBT，将MOSFET与的优点集于一身，是一种复合型电力半导体器件（） 目前逆变器中广泛使用IGBT开关管,IGBT是型开关管（） 目前逆变器中广泛使用IGBT开关管,IGBT是型开关管（） IGBT综合了MOSFET和GTR的优点，具有输入阻抗高、工作速度快、通态电压低、阻断电压高、承受电流大的优点（） 与GTR相比MOSFET的优点有：开关速度快、损耗低、驱动功率小和（）等优点 电力MOSFET不具备静态特性。() 电力MOSFET不可直接并联使用。() 电力MOSFET的通态电阻具有（） 已获广泛应用的全控型电力电子器件有电力晶体管GTR、可关断晶体管GTO、电力（）晶体管MOSFET、绝缘删双极型晶体管IGBT和场控晶闸管MCT等