在硅片制造中光刻胶的两种目的是什么？

有关光刻胶的显影下列说法错误的是（）。 在深紫外曝光中，需要使用CA光刻胶，CA的含义是（）。 解释光刻胶选择比。要求的比例是高还是低？ 在深紫外曝光中，需要使用CA光刻胶，它的优点在于（）。 典型的DUV光刻胶曝光剂量的宽容度是多少？ 用g线和i线进行曝光时通常使用哪种光刻胶（）。 通过负光刻胶定义的图形与所需要制备的图形相反。 在CMOS工艺中，通常采用对光刻胶曝光显影来实现所设计结构的图案制备（） 光刻中影响甩胶后光刻胶膜厚的因素有（）、（）、（）、（）。 利用正光刻胶曝光、显影、蚀刻的过程中，掩膜版上透光图案对应的基底部位将被蚀刻掉。 利用正光刻胶曝光、显影、蚀刻的过程中，掩膜版上透光图案对应的基底部位将被蚀刻掉（） 中国大学MOOC: 在集成电路制造过程的图形制备的最后一道工序是光刻胶去除，这一过程叫去胶，常用的去胶方法有（）。 什么是硅化物？难熔金属硅化物在硅片制造业中重要的原因是什么？ 辅导中的两种限制是什么？ 例举硅片制造厂房中的7种玷污源。 例举并描述光刻中使用的两种曝光光源。 中国大学MOOC: 在晶片制造中，有两种方法可以向硅片中引入杂质元素，即（）和（）。 “自我批判”是两种理论的结合。两种理论是什么？ 两种思维模式是什么定义分别是什么 早期电影创作中的两种不同风格是什么？