P沟道耗尽型MOS管的夹断电压VP为 （ ）

P沟道增强型MOS管中，外加电压uGS的极性为（） N沟道耗尽型MOS管的uGS在一定范围内（） 中国大学MOOC: N沟道耗尽型MOSFET，已知夹断电压VPN= -1V，当vGS=1.5V时，夹断点电压对应的VDS = V。 选择正确答案填入空内： 使N沟道耗尽型MOS管导电沟道被夹断的条件是_____。 若耗尽型 N 沟道MOS 管的Ugs 大于零，则其输入电阻会明显变小 若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零，则其输入电阻会明显变小。() 由N沟道和P沟道增强型MOS管并联互补组成CMOS传输门,其控制电压分别加在。（4067）（） Mos管分为__和P沟道两种 耗尽型MOS管在栅源电压为正或负时均能实现压控电流的作用。/ananas/latex/p/5329 耗尽型MOS管不能采用自偏压方式。() CMOS集成电路以增强型P沟道MOS管和增强型N沟道MOS管为基本单元的组件。若串联则互补构成，若并联互补则构成传输门。（4062）（） 中国大学MOOC:"对于增强型N型沟道MOS管，UGS只能为（ ）电压。（填写正/负）"; N沟道耗尽型绝缘栅场效晶体管在ID时，栅源电压为负值（） 绝缘栅场效应管也有两种结构形式，它们是N沟道型和P沟道型。无论是什么沟道，它们又分为增强型和耗尽型两种 增强型MOS管在uGS=0时不存在导电沟道 所谓n沟道MOS管指的是它的基底是n型半导体 所谓n沟道MOS管指的是它的基底是n型半导体（） 耗尽型MOS管只能采用分压式偏置电路设置静态工作点 增强型MOS管具有开启电压（） 中国大学MOOC: UGS＝0V时，不能够工作在恒流区的场效应管有（ )。（填写增强型MOS管/耗尽型MOS管/JFET）