中国大学MOOC: N沟道耗尽型MOSFET，已知夹断电压VPN= -1V，当vGS=1.5V时，夹断点电压对应的VDS = V。

中国大学MOOC: 解决沟道效应的方法有 中国大学MOOC: 已知连续型随机变量 N沟道增强型MOSFET工作于放大工作状态时，要求UGSQ>__, UDSQ>____（） 中国大学MOOC: p沟道增强型比n沟道增强型器件更易制造的原因是氧化层正电荷的积累可能会使n型半导体反型。 中国大学MOOC: 开启电压是增强型场效应管产生导电沟道所需的栅源电压。 P沟道耗尽型MOS管的外加电压uGS的极性可正可负。() N沟道耗尽型MOS管的uGS在一定范围内（） N沟道MOSFET管的导通条件是（） 绝缘栅场效应管也有两种结构形式，它们是N沟道型和P沟道型。无论是什么沟道，它们又分为增强型和耗尽型两种 中国大学MOOC: EMOS管存在导电沟道时，栅源电压必定大于零。 中国大学MOOC: 已知波动方程 中国大学MOOC: 已知逻辑函数 P沟道结型场效应管工作在恒流区其栅-源电压UGS应小于夹断断电压大于零（） N沟道结型场效应管工作在恒流区其栅-源电压UGS应大于夹断断电压小于零（） 若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零，则其输入电阻会明显变小。() 若耗尽型 N 沟道MOS 管的Ugs 大于零，则其输入电阻会明显变小 中国大学MOOC: 装夹应做到定位并夹紧。 中国大学MOOC: 抑制离子注入过程中的沟道效应的措施有（）。 P-MOSFET栅偏压为零时，漏源极之间就存在导电沟道的称为增强型。() P-MOSFET栅偏压大于零时，漏源极之间才存在导电沟道的称为增强型。()