N沟道场效晶体管的漏极电流由（）的漂移运动形成。  

处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。() 处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的（） 场效应晶体管是由控制漏极电流的 处于放大状态的晶体管，集电极电流主要是由基区非平衡少子漂移运动形成的 双极型晶体管导电的载流子是 _________ ； N 沟道场效应管导电的载流子是 __________;P 沟道导电的载流子是 _______ 。 A 电子 B 空穴 C 电子和空穴 场效晶体管在放大电路中，其漏极电流iD受电压uGS的控制（） 由两个N区夹着一个P区，漏极电流是由P区中空穴形成的这种结构的管子，我们称其为N型沟道场效应管。 由两个N区夹着一个P区，漏极电流是由P区中空穴形成的这种结构的管子，我们称其为N型沟道场效应管（） 根据导电方式的不同，场效晶体管可分为N沟道和P沟道两类。（） 场效晶体管的PDSM=1W，工作时漏源电压VDS=10V，漏极电流ID不可超过（） N沟道增强型绝缘栅场效晶体管，栅源电压VGS是（） N沟道增强型场效晶体管正常工作时，应加（）栅源电压。()   在场效晶体管的特性中，反映栅源电压对漏极电流的控制能力的是（）   电晶体管集—基极反向截止电流ICBO是由少数载流子的漂移运动所形成的电流，受温度的影响大。() 场效应晶体管是用（）控制漏极电流的 N沟道耗尽型绝缘栅场效晶体管在ID时，栅源电压为负值（） 场效晶体管的输入电阻比双极型晶体管的输入电阻( ) 场效晶体管在放大电路中，其漏极电流i_D受栅源电压u_GS的控制。() 场效晶体管也是一种具有放大能力的晶体管，但它的控制方式与晶体管不同，晶体管是利用输入电流去控制输出电流，是电流控制器件，而场效晶体管是利用输入电压来控制输出电流，是电压控制器件 电力晶体管GTR内部电流是由（）形成的。