热退火用于消除离子注入造成的损伤，温度要低于杂质热扩散的温度，然而，杂质纵向分布仍会出现高斯展宽与拖尾现象，解释其原因。

早期，研究离子注入技术是用（）来进行的。 离子注入的主要气体源中，剧毒的有（）。 半导体芯片生产中，离子注入主要是用来（）。 离子注入的主要气体源中，易燃、易爆的有（）。 例举离子注入设备的5个主要子系统。 中国大学MOOC: 离子注入最主要的缺点是（）。 对于非晶靶，离子注入的射程分布取决于（）。 塑件的退火处理温度一般控制在相变温度以上10℃～20℃或低于热变形温度10℃—20℃。 半导体中的离子注入掺杂是把掺杂剂（）加速到的需要的（），直接注入到半导体晶片中，并经适当温度的（）。 例举离子注入工艺和扩散工艺相比的优点和缺点。 离子注入装置的主要部件有（）、分析器、加速聚焦系统等。 什么是离子注入的横向效应？同等能量注入时，As和B哪种横向效应更大？为什么？ 离子注入前一般需要先生长氧化层，其目的是什么？ DRAPL退火炉热交器入口最高允许温度为（）℃。 中国大学MOOC: 离子注入过程中的沟道效应是指离子注入过程中始终没有与原子核发生碰撞，而是沿晶格间隙“长驱直入”，进入硅片内部相当深的地方。 离子注入机的主要部件以及它们的主要任务分别是什么？ 中国大学MOOC: 抑制离子注入过程中的沟道效应的措施有（）。 中国大学MOOC: 以下关于离子注入优点的选项中，（）的说话是错误的。 经热矫后的螺旋浆，退火处理的目的是消除内应力（） 离子注入是借其（）强行进入靶材料中的一个（）物理过程。