离子注入前一般需要先生长氧化层，其目的是什么？

早期，研究离子注入技术是用（）来进行的。 离子注入的主要气体源中，剧毒的有（）。 例举离子注入设备的5个主要子系统。 半导体芯片生产中，离子注入主要是用来（）。 离子注入的主要气体源中，易燃、易爆的有（）。 中国大学MOOC: 离子注入最主要的缺点是（）。 为了防止抽气设备对离子注入系统的油污染，可在靶室前增加一个（）或采用无油泵。 对于非晶靶，离子注入的射程分布取决于（）。 什么是离子注入中常发生的沟道效应（Channeling）和临界角？怎样避免沟道效应？ 鞘翅目一般被分为几个亚目，依据是什么？ 离子注入装置的主要部件有（）、分析器、加速聚焦系统等。 例举离子注入工艺和扩散工艺相比的优点和缺点。 中国大学MOOC: 下面关于离子注入技术所需要的三大元素描述正确的是（）。 半导体中的离子注入掺杂是把掺杂剂（）加速到的需要的（），直接注入到半导体晶片中，并经适当温度的（）。 离子交换器中排排水管一般包两层网套，其中内层（）目，外层为（）目。 中国大学MOOC: 离子注入方法和扩散方法均能精确控制杂质的浓度。 儿童少年生长的一般规律是什么？ 中国大学MOOC: 离子注入过程中的沟道效应是指离子注入过程中始终没有与原子核发生碰撞，而是沿晶格间隙“长驱直入”，进入硅片内部相当深的地方。 中国大学MOOC: 抑制离子注入过程中的沟道效应的措施有（）。 中国大学MOOC: 以下关于离子注入优点的选项中，（）的说话是错误的。