离子注入装置的主要部件有（）、分析器、加速聚焦系统等。

半导体芯片生产中，离子注入主要是用来（）。 中国大学MOOC: 离子注入最主要的缺点是（）。 离子注入后为什么要进行退火？ 什么叫离子注入，它的特点是什么？ 早期，研究离子注入技术是用（）来进行的。 半导体中的离子注入掺杂是把掺杂剂（）加速到的需要的（），直接注入到半导体晶片中，并经适当温度的（）。 中国大学MOOC: 抑制离子注入过程中的沟道效应的措施有（）。 对于非晶靶，离子注入的射程分布取决于（）。 例举离子注入工艺和扩散工艺相比的优点和缺点。 什么是离子注入的横向效应？同等能量注入时，As和B哪种横向效应更大？为什么？ 离子注入前一般需要先生长氧化层，其目的是什么？ 中国大学MOOC: 离子注入方法和扩散方法均能精确控制杂质的浓度。 为了防止抽气设备对离子注入系统的油污染，可在靶室前增加一个（）或采用无油泵。 中国大学MOOC: 离子注入过程中的沟道效应是指离子注入过程中始终没有与原子核发生碰撞，而是沿晶格间隙“长驱直入”，进入硅片内部相当深的地方。 中国大学MOOC: 以下关于离子注入优点的选项中，（）的说话是错误的。 质谱仪的质量分析器装置不需要真空状态 离子注入是借其（）强行进入靶材料中的一个（）物理过程。 热导式气体分析器核心的部件是什么？其结构形式有几种了各有什么特点？ 质谱的质量分析器有（）。 什么是离子注入中常发生的沟道效应（Channeling）和临界角？怎样避免沟道效应？